Reinigung von Quarz und Siliziumcarbid
Semiconductor manufacturing includes diffusion steps for which quartz and SiC parts are used. Due to cross-contamination constraints (metallic contamination), the cleaning process flow requires a segregation strategy with dedicated cleaning equipments.
Vorteile
- Dekontamination von Oberflächen
- Verwendbarkeit der Teile unter Reinraumbedingungen
- Oberflächenanalyse für Verunreinigungen
- Erhöhte Anlagenverfügbarkeit
Technische Eigenschaften
- Leitfähigkeit von deionisiertem Wasser
- Überwachung mechanischer Partikel mit Flüssigkeitspartikelzähler
- Messungen der Oberflächen- und Werkstoffverunreinigung durch entsprechende Analytik
Wie beim Präzisionsreinigen wird bei der Reinigung von Quarz und Siliziumcarbid nach sehr strengen Vorgaben und mit einer sehr niedrigen Toleranz für mikroskopische Partikel oder andere Verunreinigungen gearbeitet.
Teile aus Quarz und Siliziumcarbid kommen in bestimmten Branchen zum Einsatz. Insbesondere werden solche Bauteile in Diffusionsöfen und CVD- Anlagen zur Herstellung von Halbleiterchips eingesetzt. Während der Ofenprozesse befinden sich die Wafer in Magazinen aus Quarz und Siliziumcarbid. Da sich auf Ihnen Ablagerungen wie Polysilizium, Nitride oder Siliziumoxide bilden, müssen sie regelmäßig gereinigt werden.
Die Entfernung der Ablagerung auf Quarz- oder SIC-Komponenten erfolgt durch chemisches Reinigen. Dafür werden Tauch- oder Spritzreinigungsanlagen in Kombination mit mehreren Spülschritten eingesetzt.
Abschließend erfolgt eine sorgfältige Trocknung.
Die Reinigung erfolgt unter Reinraumbedingungen.
Die Reinigung der Komponenten erfolgt unter strikter Trennung – je nach Herkunft – zur Vermeidung von Querkontaminationen.